通过将许多原本非常精细的配件放大无数倍之后，其研发难度自然而然地得到了大幅降低。
如同将高不可攀的山峰削平为易于攀登的丘陵，为国内企业在高端芯片制造设备领域的自主研发提供了一条全新的可行路径。
然而，这种大型化设计也带来了一些新的挑战，例如每一台光刻机的体积最低都达到了 5 万平方米，甚至更大，其占地面积与空间需求极为庞大。
与之相对应的是，其投资成本也水涨船高，每一台光刻机的制作成本高达百亿级别，这无疑是一个令人咋舌的天文数字。
但在楚云天看来，为了实现量子芯片的自主制造与技术突破，无论面临多大的困难与成本压力，都必须坚定不移地推进这一战略布局。
因为这是汉唐集团在全球芯片产业竞争格局中实现弯道超车的关键所在。
当然，想要成功制造出量子芯片，其精密程度要求之高无需多言，尤其是一些关键性的配件，必须要达到极致的精密要求才能确保整个芯片制造过程的顺利进行与产品质量的稳定可靠。
不过，量子硅基芯片在技术发展路径上与传统的普通硅基芯片有着本质区别。
并不需要像当前普通硅基芯片那样从三纳米或者一纳米这样的极小制程起步艰难探索。
量子硅基芯片的技术路线是直接从 128 纳米开始切入，这一独特的起点看似较为“粗糙”，但实际上其蕴含的性能潜力却远超想象。
哪怕是 128 纳米制程的量子芯片，其性能也要超过一纳米普通硅基芯片的 2 万倍以上。
这一巨大的性能优势充分展示了量子硅基芯片技术的独特魅力与创新价值。
后续，随着技术研发的不断深入与工艺的逐步完善，只需沿着既定的技术路线慢慢对量子硅基芯片进行升级优化即可。
当然，其升级的精度差与普通硅基芯片有着明显不同，二者之间完全就是两条不同的技术赛道。
无法简单地用普通硅基芯片的精度标准去衡量量子硅基芯片的技术进步。
在量子硅基芯片的升级过程中，每一次技术迭代所带来的性能提升幅度都是呈百倍数量级增加。
而普通硅基芯片在升级过程中往往仅仅只能实现成倍的性能增长。
这种性能提升速度上的巨大差异将随着时间的推移不断拉大量子硅基芯片与普通硅基芯片之间的技术鸿沟。
使量子硅基芯片在未来的芯片市场竞争中占据绝对优势地位。
在汉唐集团全力推进芯片产业战略布局的同时，其旗下的其他各大产业也如同繁星璀璨，呈现出全面爆发式增长的良好态势。
随着各产业板块的协同发展与市场份额的稳步扩大，汉唐集团的营业收入如同芝麻开花节节高，持续不断地攀升至新的高度。
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